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時間：2018-05-19 11:16:31 作者：xyyadmin
《適配器廠家：分享有關電源適配器二極管浪涌電流測試電路》由【深圳電源適配器生產廠家】于2018年05月19日整理發布!
分享有關電源適配器二極管浪涌電流測試電路，由深圳適配器生產廠家提供分享。給大家講述一下二極管正向浪涌電流測試的基本要求和標準測試方法，針對標準測試方法存在的不足，設計實現了采用信號控制、電容儲能和大功率場效應管晶體管電流驅動的電路解決方案，簡潔而又高效地實現了二極管正向浪涌電流的測試。
一：正弦半波脈沖電流的產生：
二極管的規格繁多，常見的額定通態電流從數百毫安到數百安培甚至更高，IFSM測試需要的峰值脈沖電流要求達到數十倍的額定通態電流值。標準的測試方法是采用大容量工頻變壓器，截取市電交流波形來產生時間常數為10ms、導通角為0°～180°的正弦半波脈沖，用這種方法產生幾百上千安培的正弦脈沖電流，所用到的變壓器體積重量都非常可觀，安裝與使用十分不便。一些國外公司的產品對浪涌沖擊電流波形有特殊要求，比如要求在正向整流電流的基礎上再加一個時間常數為10ms或8.3ms、導通角為0°～180°的正弦半波脈沖電流，或者要求施加連續兩個時間常數為10ms或8.3ms、導通角為0°～180°的正弦半波脈沖電流等。顯然再采用市電截取的方法，已經很難滿足不同器件的測試要求了。
二：設計思路：
大功率場效應管晶體管是一類標準的電壓控制電流器件，在VDMOS管的線性工作區內，漏極電流受柵極電壓控制：IDS=GFS*VGS[2]。給柵極施加所需要的電壓波形，在漏極就會輸出相應的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用于實現所需的浪涌電流波形。運放組成基本的反向運算電路，驅動VDMOS管的柵極，漏源電流通過VDMOS管源極取樣電阻，加到運放反向輸入端，與輸入波形相加形成反饋，運放輸出電壓控制VDMOS管的柵極電壓VGS，進而控制漏極輸出電流IDS[3]。這個IDS就是施加給待測二極管(DUT)的正向浪涌電流。
單只VDMOS管的功率和電流放大能力是有限的，無法達到上千安培的輸出電流能力，采用多只并聯的方式可以解決這個問題，以達到所需要的峰值電流。本測試方案采用了成熟的電路控制技術，簡潔而有效地實現了各種浪涌沖擊測試的要求。使用的都是常規易得的元器件，組建的裝置體積小重量輕，可以很方便地安裝在普通儀器箱中，成為一件標準測試儀器。具有使用靈活、易操作，測試精準度高，安全可靠等特點。以上內容由深圳喜源源電源適配器生產廠家分享至此！
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